RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
86
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
86
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1469
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link