RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
27
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
20
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3540
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link