RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
4322
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link