RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2994
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link