RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3260
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link