RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2892
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link