RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 32
    Около 6% меньшая задержка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    19.4 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.3 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8500
    Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.6 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 16.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1479 left arrow 3726

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
модули RAM