RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3726
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link