RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 9905711-035.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
77
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2723
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link