RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2468
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link