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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2468
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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