RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2620
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link