Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Средняя оценка

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 47

Около 43% меньшая задержка

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.8 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 47
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 14.8
Скорость записи, Гб/сек

8.5 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1756 2875

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB

модули RAM