Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB против Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 73
    Около 45% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 5300
    Около 2.42% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 3,510.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 1,423.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2035 left arrow 476
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения