Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB vs Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
star star star star star
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB

总分
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    40 left arrow 73
    左右 45% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 5300
    左右 2.42% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 12
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    40 left arrow 73
  • 读取速度,GB/s
    12.0 left arrow 3,510.5
  • 写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 1,423.3
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2035 left arrow 476
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较