RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сравнить
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
3085
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link