Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 32
    Около 22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.4 left arrow 5.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.5 left arrow 13.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1913 left arrow 1897
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения