Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB против Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 67
    Около -81% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.6 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 5.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    67 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.0 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1247 left arrow 2409
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения