RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB против Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HX316C10F/4 4GB Причины выбрать
Kingston HX316C10F/4 4GB
Сообщить об ошибке
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 67
    Около -81% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.6 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 5.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    67 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.0 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1247 left arrow 2409

Kingston HX316C10F/4 4GB Сравнения RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM

Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения