Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB vs Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 67
    Intorno -81% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.6 left arrow 6.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 5.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    67 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.3 left arrow 14.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.0 left arrow 9.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1247 left arrow 2409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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