Kingston HX318C10FK/4 4GB против Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

-->

Средняя оценка

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

69 70

Около 1% меньшая задержка

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Причины выбрать
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 4.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 14900

Около 1.72 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 70
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.0
Скорость записи, Гб/сек

4.1 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 25600

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1116 2519

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

модули RAM