Kingston K1N7HK-ELC 2GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Средняя оценка

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Причины выбрать
Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 73

Около 64% меньшая задержка

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 73
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 14.7
Скорость записи, Гб/сек

7.7 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1820 1712

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

модули RAM