Kingston K1N7HK-ELC 2GB против Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Средняя оценка

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Причины выбрать
Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 37

Около 30% меньшая задержка

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Причины выбрать
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.5 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 37
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 18.5
Скорость записи, Гб/сек

7.7 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1820 3100

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM