RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingston K1N7HK-ELC 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
26
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1820
3814
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link