Kingston K531R8-MIN 4GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Средняя оценка

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K531R8-MIN 4GB

Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около 24% меньшая задержка

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

21.4 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K531R8-MIN 4GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 37
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 21.4
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2445 3448

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston 9905678-102.A00G 8GB

Kingston 9905678-102.A00G 8GB

модули RAM

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

модули RAM