RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3595
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link