RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3462
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link