Kingston KF552C40-16 16GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KF552C40-16 16GB

Причины выбрать
Kingston KF552C40-16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.2 13.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.1 15.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 28
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.1
Скорость записи, Гб/сек

13.2 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3343 2833

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM