RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
76
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
76
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
1809
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link