RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2528
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link