Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 49

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 16.4
Скорость записи, Гб/сек

8.7 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 25600

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2427 3046

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 99U5702-095.A00G 8GB

Kingston 99U5702-095.A00G 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM