RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
81
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
81
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
8.5
Скорость записи, Гб/сек
10.6
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
1651
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link