RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
81
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
81
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1651
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link