RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
3178
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link