Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.1 8.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 7.0

Среднее значение в тестах

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 40

Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 38
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 8.7
Скорость записи, Гб/сек

8.5 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2148 1999

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB

Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM