RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link