RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2135
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link