RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905713-030.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link