RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link