RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link