RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
53
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2356
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link