RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
53
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
53
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2356
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link