RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
53
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2356
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link