RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
71
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
1863
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link