Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 52

Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.1 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 7.5

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 52
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 10.1
Скорость записи, Гб/сек

8.5 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2148 2176

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM