RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
49
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2534
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link