RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2534
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link