RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link