RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link