RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2600
2833
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link