RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link