RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link