RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link